AT91SAM9G35-CU
EP4CE115F23I7N
系列 | - |
包裝 | 帶卷(TR) |
零件狀態(tài) | 過(guò)期 |
FET 類型 | P 溝道 |
電壓 - 擊穿(V(BR)GSS) | 20V |
漏源極電壓(Vdss) | - |
不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss) | 300μA @ 10V |
漏極電流(Id) - 最大值 | - |
不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)) | 8V @ 10μA |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) | 32pF @ 10V |
電阻 - RDS(開(kāi)) | - |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-92-3 |
功率 - 最大值 | 350mW |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,000 |
深圳市福田區(qū)振興路101號(hào)華勻大廈1棟五樓B14 網(wǎng)站備案號(hào):粵ICP備16087868號(hào)
@ 2019 4817744.com 深圳市創(chuàng)寶來(lái)科技有限公司 All Right Reserved.