作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。

氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。

德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密度和提高多種應(yīng)用中電源系統(tǒng)和電源效率的關(guān)鍵一步。在設(shè)計中使用 GaN 的公司數(shù)量正在迅速增長。降低功耗和提高效率至關(guān)重要?！?/p>

在過去 60 多年里，硅一直是半導(dǎo)體電源管理元件的基礎(chǔ)，這些元件將交流 (AC) 轉(zhuǎn)換為直流 (DC)，然后根據(jù)各種應(yīng)用需求將直流電壓輸入進(jìn)行轉(zhuǎn)換，從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人，不一而足。隨著元件的改進(jìn)和優(yōu)化，硅的物理特性已得到充分應(yīng)用。如今，在不增加尺寸的前提下，硅已無法在所需的頻率下提供更高功率。

因此，在過去十年間，許多電路設(shè)計人員轉(zhuǎn)向采用 GaN，以便在更小的空間里實現(xiàn)更高功率。許多設(shè)計人員對于該技術(shù)將在未來創(chuàng)新中發(fā)揮的潛能充滿信心，主要歸因于以下三點：

盡管現(xiàn)在按芯片級別比較，GaN 比硅昂貴，但 GaN 所帶來的整個系統(tǒng)的成本優(yōu)勢、效率和功率密度的提高超過了初始投資的價值。例如，在 100 兆瓦數(shù)據(jù)中心中，使用基于 GaN 的電源管理系統(tǒng)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間節(jié)約 700 萬美元的能源成本。節(jié)約的能源足夠 80,000 個家庭，也就是大約一個小型城市，使用一年。

德州儀器電源設(shè)計服務(wù)團(tuán)隊總經(jīng)理 Robert Taylor 表示：“GaN 技術(shù)可在較高頻率下運行，進(jìn)而可實現(xiàn)一些具有更低物料清單成本的拓?fù)浜图軜?gòu)。得益于較高的運行頻率，工程師還可以在設(shè)計中選擇較小型的其他元件。GaN 提供了硅芯片所不支持的拓?fù)?，使得工程師可以靈活優(yōu)化其電源設(shè)計。”  

GaN FET 需要專用的柵極驅(qū)動器，這意味著需要額外的設(shè)計時間和工作量。不過，德州儀器通過在芯片中集成柵極驅(qū)動器和一些保護(hù)功能，簡化了 GaN 設(shè)計。

David 表示：“集成驅(qū)動器有助于提高性能并提供更高的功率密度和更高的開關(guān)頻率，從而提升效率并降低整體系統(tǒng)尺寸。集成提供巨大的性能優(yōu)勢并使用 GaN 簡化設(shè)計，可使設(shè)計人員更大程度地利用這項技術(shù)的優(yōu)勢。”

David 說：“客戶會很高興看到我們的參考設(shè)計，比如適用于數(shù)據(jù)中心的 5 千瓦圖騰柱功率因數(shù)校正設(shè)計所展示的 GaN 的性能優(yōu)勢。他們一旦認(rèn)識到可以以更小的解決方案尺寸實現(xiàn)更高的效率，或者以同樣的外形尺寸實現(xiàn)更高的功率水平，這會促使他們轉(zhuǎn)向使用 GaN?！?br style="max-width: 100%; box-sizing: border-box; overflow-wrap: break-word !important;"/>

例如，一些模塊化家用空調(diào)設(shè)備制造公司采用 GaN 進(jìn)行設(shè)計，將電源效率提高了 5%。

Robert 表示：“從空調(diào)耗能的角度來看，這個數(shù)字意義重大，提高 5% 的效率可以節(jié)省一大筆資金。能用 GaN 器件實現(xiàn)這點真是太棒了?！?/p>