SK Hynix在HBM的地位毋庸置疑，但最近三星和美光也來勢洶洶。但韓國巨頭也不輕易讓位。

根據(jù)韓國媒體Money Today 報(bào)導(dǎo)表示，SK 海力士與第三方封裝測試廠商(OSAT) 大廠Amkor 進(jìn)行了硅中介層合作的協(xié)商。預(yù)計(jì)SK 海力士將向Amkor 一并供應(yīng)HBM 記憶體和2.5D 封裝用硅中介層，再由Amkor 則負(fù)責(zé)利用硅中介層完成客戶邏輯芯片與SK 海力士HBM 記憶體的整合。

報(bào)導(dǎo)指出，針對(duì)這項(xiàng)SK 海力士與Amkor 的合作，SK 海力士官方人士表示，雖然協(xié)商目前仍處于早期階段，但雙方正在進(jìn)行各種談辦協(xié)商，以提供仲介層來滿足客戶的需求，如此也進(jìn)一步強(qiáng)化SK 海力士在HBM 方面的優(yōu)勢。

報(bào)導(dǎo)表示，硅中介層是性能優(yōu)秀的HBM 記憶體整合仲介材料，被視為2.5D 封裝的核心。目前，全球市場上僅有四家企業(yè)，包括臺(tái)積電、三星電子、英特爾、聯(lián)電等擁有制造生產(chǎn)硅中介層的能力，而前三家公司也因此成為了專業(yè)先進(jìn)封裝的領(lǐng)導(dǎo)者。

因?yàn)榛谏显V的市場狀況，SK 海力士如果能達(dá)到硅中介層量產(chǎn)的目標(biāo)，就代表著其能提供HBM + 硅中介層的解決方案供應(yīng)，有機(jī)會(huì)可進(jìn)一步提升SK 海力士向英偉達(dá)等客戶交付HBM 的能力。此外，三星電子計(jì)畫透過邏輯代工+ HBM 記憶體+ 先進(jìn)封裝的全流程一條龍式服務(wù)提供，進(jìn)一步與SK 海力士爭奪HBM 訂單的情況下，SK 海力士拓展自身產(chǎn)品鏈的做法，未來預(yù)計(jì)也有助于減少三星電子對(duì)HBM 業(yè)務(wù)的沖擊。

臺(tái)積電、SK海力士和英偉達(dá)組“三角聯(lián)盟”聚焦HBM4

臺(tái)積電、SK海力士和英偉達(dá)將組成“三角聯(lián)盟”，并在會(huì)上宣布一項(xiàng)聯(lián)合計(jì)劃，綜合媒體報(bào)導(dǎo)，三方的合作內(nèi)容，是會(huì)透過高頻寬記憶體HBM4等下一代技術(shù)搶占人工智能市場。

據(jù)媒體wccftech說，在這次的SEMICON，包括：英偉達(dá)首席執(zhí)行長黃仁勛、SK 海力士總裁Kim Joo-sun等人都會(huì)出席，且將聚焦下一代HBM技術(shù)上的合作，特別是革命性的HBM4記憶體。

報(bào)導(dǎo)說，目前不確定SK海力士將如何實(shí)施HBM4記憶體，但與臺(tái)積電和英偉達(dá)合作已經(jīng)相當(dāng)明朗化。SK海力士與臺(tái)積電將合作開發(fā)尖端HBM4記憶體，英偉達(dá)則提供產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

報(bào)導(dǎo)說，SK海力士是最早實(shí)施“多功能HBM”的公司之一，他們先前透露，計(jì)劃將記憶體和邏輯半導(dǎo)體整合到單一封裝中，這意味著不需要封裝技術(shù)，并且這將被證明具有更高的性能效率。

三星傳以4 納米量產(chǎn)HBM4，對(duì)抗SK 海力士、臺(tái)積電聯(lián)盟

市場謠傳，三星電子（Samsung Electronics Co.）準(zhǔn)備以先進(jìn)4 納米制程量產(chǎn)次世代高頻寬記憶體「HBM4」。

《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》15日引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo)，三星準(zhǔn)備運(yùn)用4納米制程，量產(chǎn)第六代HBM4的邏輯晶粒（logic die）。邏輯晶粒位于晶粒堆疊的最底層，為HBM的核心元件。

記憶體制造商已能為HBM3E等現(xiàn)有產(chǎn)品制造邏輯晶粒，但第六代模型具備客戶要求的客制化功能，需要額外導(dǎo)入晶圓工序。

4納米是三星主打制程，良率超過70%。三星也運(yùn)用這項(xiàng)制程生產(chǎn)旗艦AI智能手機(jī)「Galaxy S24」的Exynos 2400處理器。

業(yè)界人士指出，「4納米雖比7納米、8納米貴很多，但芯片效能與功耗（power consumption）也優(yōu)秀很多。」「目前以10納米制程生產(chǎn)HBM3E的三星，計(jì)劃用4納米奪得HBM領(lǐng)導(dǎo)地位」。

SK海力士（SK Hynix）4月宣布與臺(tái)積電合作。SK海力士4月19日聲明稿表示，依據(jù)雙方臺(tái)北敲定的備忘錄，將合作開發(fā)第六代HBM4芯片，2026年量產(chǎn)。